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内容提要
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前言
第1章 集成电路简介
1.1 概 述
1.2 半导体硅材料——集成电路的核心与基础
1.3 集成电路元件的分类
1.4 半导体器件的制作工艺流程
书角茶桌 集成电路发展史上的十大里程碑事件
第2章 从硅石到晶圆
2.1 半导体硅材料
2.2 从硅石到金属硅，再到99.999999999%的高纯硅
2.3 从多晶硅到单晶硅棒
2.4 从单晶硅到晶圆
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2.5 抛光片、退火片、外延片、SOI片
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书角茶桌 “硅是上帝赐予人类的宝物”
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第3章 集成电路制作工艺流程
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3.1 集成电路逻辑LSI元件的结构
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3.2 LSI的制作工艺流程
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3.3 IC芯片制造工艺的分类和组合
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书角茶桌 世界集成电路产业发展的领军人物
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第4章 薄膜沉积和图形加工
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4.1 DRAM元件和LSI元件中使用的各种薄膜
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4.2 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（1）——PVD法
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4.3 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（2）——CVD法
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4.4 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（3）——各种方法的比较
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4.5 布线缺陷的改进和消除——Cu布线代替Al布线
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4.6 曝光光源不断向短波长进展
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4.7 光学曝光技术
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4.8 电子束曝光和离子束曝光技术
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4.9 干法刻蚀替代湿法刻蚀
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书角茶桌 世界芯片产业的十大领头企业
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第5章 杂质掺杂——热扩散和离子注入
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5.1 集成电路制造中的热处理工艺
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5.2 用于杂质掺杂的热扩散工艺
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5.3 精准的杂质掺杂技术（1）——离子注入的原理
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5.4 精准的杂质掺杂技术（2）——离子注入的应用
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书角茶桌 “核心技术是国之重器”
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第6章 摩尔定律能否继续有效
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6.1 多层化布线已进入第4代
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6.2 铜布线的单大马士革和双大马士革工艺
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6.3 摩尔定律能否继续有效？
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6.4 新材料的导入——“制造材料者制造技术”
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6.5 如何实现器件的高性能？
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6.6 从100nm到7nm——以材料和工艺的创新为支撑
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书角茶桌 集聚最强的力量打好核心技术研发攻坚战
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参考文献
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作者简介
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作者书系
更新时间：2020-11-20 11:29:55
完结共50章
倒序