等离子体刻蚀工艺及设备

参考文献

8.4 提高刻蚀量产稳定性的方法

8.3.2 刻蚀机工艺模块的颗粒缺陷和颗粒控制

8.3.1 刻蚀机传输模块的颗粒缺陷和颗粒控制

8.3 缺陷和颗粒污染控制手段

8.2 缺陷和颗粒问题带来的影响

8.1 缺陷和颗粒介绍

第8章 颗粒控制和量产

参考文献

7.2.3 相关仿真案例

7.2.2 仿真分析基本流程

7.2.1 多物理场仿真技术简介

7.2 多物理场仿真技术

7.1.6 各物理场之间的耦合

7.1.5 化学反应

7.1.4 温度场

7.1.3 流场

7.1.2 电磁场

7.1.1 等离子体场

7.1 刻蚀机涉及的物理场

第7章 等离子体仿真

参考文献

6.3.2 IEP算法介绍

6.3.1 激光干涉原理

6.3 激光干涉终点检测技术

6.2.3 光学发射光谱检测技术在等离子体刻蚀中的应用

6.2.2 终点检测系统介绍

6.2.1 终点检测原理

6.2 光学发射光谱终点检测技术

6.1.2 离子能量分析仪等离子体诊断

6.1.1 静电探针等离子体诊断

6.1 等离子体密度和能量诊断技术

第6章 等离子体测试和表征

参考文献

5.4.5 其他工艺结果评价指标

5.4.4 选择比

5.4.3 刻蚀均匀性

5.4.2 刻蚀速率

5.4.1 刻蚀形貌

5.4 等离子体刻蚀机工艺结果评价指标

5.3 等离子体刻蚀机工艺参数简介

5.2.3 匀流板

5.2.2 静电卡盘

5.2.1 反应腔

5.2 关键结构的设计

5.1.6 整机控制系统

5.1.5 附属设备

5.1.4 温度控制系统

5.1.3 射频系统

5.1.2 真空控制系统

5.1.1 传输系统

5.1 等离子体刻蚀机软硬件结构

第5章 等离子体刻蚀机

参考文献

4.4 先进封装中翘曲片的等离子体处理方法

4.3 先进封装中的聚合物刻蚀

4.2.4 扇出型封装中的硅刻蚀工艺

4.2.3 等离子体切割工艺

4.2.2 硅通孔刻蚀工艺

4.2.1 硅整面减薄工艺

4.2 先进封装中的等离子体硅刻蚀

4.1.4 提高表面结合力

4.1.3 改善润湿性

4.1.2 去除残留金属

4.1.1 去除残胶

4.1 先进封装中的等离子体表面处理

第4章 集成电路封装中的等离子体刻蚀工艺

参考文献

3.3.5 干法去胶及钝化

3.3.4 氮化钛刻蚀

3.3.3 铝线刻蚀和铝垫刻蚀

3.3.2 钨栓和钨栅极刻蚀

3.3.1 接触孔和通孔及介质沟槽刻蚀

3.3 中道工艺及后道工艺

3.2.3 侧墙（Spacer）刻蚀

3.2.2 多晶硅栅极（Gate）刻蚀

3.2.1 浅沟槽隔离（STI）刻蚀

3.2 前道工艺

3.1.3 原子层刻蚀

3.1.2 脉冲等离子体刻蚀

3.1.1 传统等离子体刻蚀

3.1 等离子体刻蚀的发展

第3章 集成电路制造中的等离子体刻蚀工艺

参考文献

2.2.3 电子回旋共振等离子体

2.2.2 感性耦合等离子体

2.2.1 容性耦合等离子体

2.2 集成电路常用的等离子体产生方式

2.1.6 等离子体鞘层

2.1.5 等离子体判据

2.1.4 等离子体的关键特征和参量

2.1.3 等离子体的描述方法

2.1.2 等离子体的参数空间

2.1.1 等离子体的定义

2.1 等离子体的基本概念

第2章 等离子体基本原理

参考文献

1.3 集成电路未来的挑战

1.2.4 逻辑IC

1.2.3 模拟IC

1.2.2 微元件IC

1.2.1 存储器IC

1.2 集成电路分类

1.1.4 集成电路产业垂直分工历程

1.1.3 集成电路产业的分工和发展

1.1.2 集成电路发展简史

1.1.1 什么是集成电路

1.1 集成电路简史

第1章 集成电路简介

前言

“集成电路系列丛书”主编序言

“集成电路系列丛书·集成电路产业专用装备”编委会

出版委员会

编委会秘书处

“集成电路系列丛书”编委会

内容简介

版权信息

封面

封面

版权信息

内容简介

“集成电路系列丛书”编委会

编委会秘书处

出版委员会

“集成电路系列丛书·集成电路产业专用装备”编委会

“集成电路系列丛书”主编序言

前言

第1章 集成电路简介

1.1 集成电路简史

1.1.1 什么是集成电路

1.1.2 集成电路发展简史

1.1.3 集成电路产业的分工和发展

1.1.4 集成电路产业垂直分工历程

1.2 集成电路分类

1.2.1 存储器IC

1.2.2 微元件IC

1.2.3 模拟IC

1.2.4 逻辑IC

1.3 集成电路未来的挑战

参考文献

第2章 等离子体基本原理

2.1 等离子体的基本概念

2.1.1 等离子体的定义

2.1.2 等离子体的参数空间

2.1.3 等离子体的描述方法

2.1.4 等离子体的关键特征和参量

2.1.5 等离子体判据

2.1.6 等离子体鞘层

2.2 集成电路常用的等离子体产生方式

2.2.1 容性耦合等离子体

2.2.2 感性耦合等离子体

2.2.3 电子回旋共振等离子体

参考文献

第3章 集成电路制造中的等离子体刻蚀工艺

3.1 等离子体刻蚀的发展

3.1.1 传统等离子体刻蚀

3.1.2 脉冲等离子体刻蚀

3.1.3 原子层刻蚀

3.2 前道工艺

3.2.1 浅沟槽隔离（STI）刻蚀

3.2.2 多晶硅栅极（Gate）刻蚀

3.2.3 侧墙（Spacer）刻蚀

3.3 中道工艺及后道工艺

3.3.1 接触孔和通孔及介质沟槽刻蚀

3.3.2 钨栓和钨栅极刻蚀

3.3.3 铝线刻蚀和铝垫刻蚀

3.3.4 氮化钛刻蚀

3.3.5 干法去胶及钝化

参考文献

第4章 集成电路封装中的等离子体刻蚀工艺

4.1 先进封装中的等离子体表面处理

4.1.1 去除残胶

4.1.2 去除残留金属

4.1.3 改善润湿性

4.1.4 提高表面结合力

4.2 先进封装中的等离子体硅刻蚀

4.2.1 硅整面减薄工艺

4.2.2 硅通孔刻蚀工艺

4.2.3 等离子体切割工艺

4.2.4 扇出型封装中的硅刻蚀工艺

4.3 先进封装中的聚合物刻蚀

4.4 先进封装中翘曲片的等离子体处理方法

参考文献

第5章 等离子体刻蚀机

5.1 等离子体刻蚀机软硬件结构

5.1.1 传输系统

5.1.2 真空控制系统

5.1.3 射频系统

5.1.4 温度控制系统

5.1.5 附属设备

5.1.6 整机控制系统

5.2 关键结构的设计

5.2.1 反应腔

5.2.2 静电卡盘

5.2.3 匀流板

5.3 等离子体刻蚀机工艺参数简介

5.4 等离子体刻蚀机工艺结果评价指标

5.4.1 刻蚀形貌

5.4.2 刻蚀速率

5.4.3 刻蚀均匀性

5.4.4 选择比

5.4.5 其他工艺结果评价指标

参考文献

第6章 等离子体测试和表征

6.1 等离子体密度和能量诊断技术

6.1.1 静电探针等离子体诊断

6.1.2 离子能量分析仪等离子体诊断

6.2 光学发射光谱终点检测技术

6.2.1 终点检测原理

6.2.2 终点检测系统介绍

6.2.3 光学发射光谱检测技术在等离子体刻蚀中的应用

6.3 激光干涉终点检测技术

6.3.1 激光干涉原理

6.3.2 IEP算法介绍

参考文献

第7章 等离子体仿真

7.1 刻蚀机涉及的物理场

7.1.1 等离子体场

7.1.2 电磁场

7.1.3 流场

7.1.4 温度场

7.1.5 化学反应

7.1.6 各物理场之间的耦合

7.2 多物理场仿真技术

7.2.1 多物理场仿真技术简介

7.2.2 仿真分析基本流程

7.2.3 相关仿真案例

参考文献

第8章 颗粒控制和量产

8.1 缺陷和颗粒介绍

8.2 缺陷和颗粒问题带来的影响

8.3 缺陷和颗粒污染控制手段

8.3.1 刻蚀机传输模块的颗粒缺陷和颗粒控制

8.3.2 刻蚀机工艺模块的颗粒缺陷和颗粒控制

8.4 提高刻蚀量产稳定性的方法

参考文献