3.11　真空烘焙

3.11.1　采用真空烘焙工艺应符合下列规定：

1　对分子污染高度敏感的器件焊接封装时，应采用真空烘焙工艺；

2　在惰性气体中进行微波器件焊接封装时，应采用真空烘焙工艺；

3　在惰性气体中进行混合电路盒体焊接封装时，应采用真空烘焙工艺；

4　模块进行密封或者真空焊接前去除内部的水汽或其他吸附性气体成分时，可采用真空烘焙工艺。

3.11.2　真空烘焙主要工序应符合下列规定：

1　真空焙烘系统在烘烤组件前应进行烘烤，确认系统正常；

2　抽真空至100Pa，根据需要设定一定的除气温度和时间，开始加热除气，加热温度不应超过组件、器件的最高耐受温度，但应高于组件工作温度10℃以上；

3　系统回温，热沉温度应低于组件和烘烤温度；

4　应根据组件内部水汽及氧气含量要求，设置时间、温度、烘焙压力等工艺参数；

5　根据组件封盖后内部保护气氛的要求，真空烘焙后应进行相应保护气体的回充。

3.11.3　真空烘焙工艺运行条件应符合下列规定：

1　真空烘焙工艺宜在等于或优于8级净化区中进行；

2　真空烘焙工艺的回充气体应为氮气或其他惰性气体。