4.12　共　　烧

4.12.1　共烧工艺应在烧结炉中，在适当的气氛下，使生瓷块经过一系列升温、保温、降温过程，排除生瓷内有机物，使生坯中的颗粒互相键联，晶粒长大，晶界减少，排出气孔，瓷体体积收缩、密度增加，同时内部及表面的导体和电阻与瓷体通过相互扩散紧密结合。

4.12.2　共烧分为低温共烧和高温共烧，低温共烧宜在最高温度为850℃～900℃空气环境中进行，高温共烧宜在1500℃～1850℃的氢或氮氢混合气氛中进行。

4.12.3　使用箱式烧结炉共烧工艺应符合下列规定：

1　应接通压缩空气、氢气、氮气，排胶和烧结所用的压缩空气应干净干燥，对低温共烧陶瓷，应在空气气氛下排胶和烧结；对氧化铝高温共烧陶瓷，应在湿氢气氛下排胶和烧结；对氮化铝高温共烧陶瓷，应在氮气中排胶，在干燥的氮气和氢气气氛下烧结；

2　应将生瓷块放置在承烧板上，中间应用垫块隔开；

3　应将承烧板放入烧结炉炉膛中的恒温区内，并应将测温热电偶放置到合适位置；

4　应编制烧结程序，设置烧结温度曲线、烧结气氛及其流量；

5　应运行烧结程序，进行生瓷的排胶和共烧，可根据基板厚薄、尺寸大小调整排胶升温速率和烧结升温速率，厚基板和大基板可适当降低升温速率，不可排胶过量；烧结过程应在烧结温度保持一定时间，炉膛内应具有温度均匀性，恒温区温差不应超过5℃，必要时可加大进气量；

6　LTCC烧结炉温度低于200℃时可打开炉腔进行空冷；

7　HTCC烧结炉温度低于300℃时应先通氮气置换炉膛内的氢气，烧结炉内温度低于200℃时可打开炉腔进行空冷。

4.12.4　使用连续式烧结炉共烧工艺应符合下列规定：

1　应监测烧结炉传送速度、气体流量、各温区的温度是否符合烧结工艺要求；

2　应将产品按照工艺要求放在承烧板上，中间应用垫块隔开；

3　应将承烧板放置在推板或传送带上自动进入烧结炉中，并应经过不同温区完成排胶、烧结过程自动出炉；

4　可重复放置和取出产品，连续生产。

4.12.5　承烧板表面应平整，生瓷块不应叠放烧结。