6.3 创建PN结

硅原子以晶体形式连接在一起,临近的原子核共享外层电子,此时硅呈电中性,如图6.3所示。

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图6.3 晶体硅的结构

可以在晶体硅中加入杂质以改变它的性状,通常使用硼(B)和磷(P)。硼的外层只有3个电子(所有电子层共有5个电子),而磷的外层有5个电子(所有电子层共有15个电子)。如果硼或磷原子取代晶体结构中的硅原子,将会出现图6.4的情况。

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图6.4 添加硼和磷的硅

掺杂硼的硅由于空穴的存在形成“P型”(正型)。掺杂磷的硅由于多余电子的存在形成“N型”(负型)。P型硅和N型硅连接在一起将会形成PN结,如图6.5所示。

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图6.5 PN结

N型硅中靠近PN结的多余电子穿过PN结进入P型区域后填入空穴,这种移动导致了N型区域出现了正电荷区域,因为带正电荷的质子仍然“固定”在原子核周围;这种移动同时也使得P型部分由于加入额外的电子而变成带有负电荷的区域。

电荷的分离形成了一个电场,如图6.6所示。电场形成的电位差大小为0.5~0.6 V。随着电子的聚集,场强增强,从而阻止更多电子的流入,使得电子的流动停止。根据惯例,电场的方向是正电荷被放置在该场中时将移动的方向,也是电子流动方向的反方向。

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图6.6 PN结附近的电场