- 建筑安防系统工程设计与维护
- 刘德泉主编
- 1591字
- 2024-12-21 05:16:02
任务1.2 常见晶体管、集成电路的封装认识
1.2.1 常见晶体二极管的参数、分类与封装
1.二极管的基本参数
二极管的基本参数有最大平均整流电流IF(AV)、最高反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fM。
2.二极管的分类
(1)按结构分类有点接触型二极管、合金型二极管、扩散型二极管、平面型二极管。
(2)根据用途分类有检波二极管、整流二极管、限幅二极管、开关用二极管、变容二极管、稳压二极管、阻尼二极管、瞬变电压抑制二极管、发光二极管。
3.二极管的封装
常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等等。大功率二极管多采用金属封装,并且有个螺帽以便固定在散热器上。
图1.23是发光二极管,图1.24是整流二极管,图1.25是开关二极管、稳压二极管,图1.26是大电流整流二极管,图1.27是快速恢复整流二极管,图1.28是贴片安装二极管,图1.29是整流桥堆,图1.30是几种常见二极管的符号。
图1.23 发光二极管
图1.24 整流二极管
图1.25 开关二极管、稳压二极管
图1.26 大电流整流二极管
图1.27 快速恢复整流二极管
图1.28 贴片安装二极管
图1.29 整流桥堆
图1.30 二极管符号
1.2.2 常见晶体三极管的封装与识别
1.三极管主要参数
三极管主要参数有:集电极-基极反向饱和电流Icbo,集电极-发射极反向电流Iceo(穿透电流),发射极-基极反向电流Iebo,直流电流放大系数β(或hEF),截止频率fβ、fα,特征频率fT,集电极最大允许电流Icm,集电极-基极击穿电压BVcbo,发射极-基极反向击穿电压BVebo,集电极-发射极击穿电压BVceo,集电极最大允许耗散功率Pcm。
2.三极管的分类
晶体三极管的种类很多,分类方法也有多种。下面按用途、频率、功率、材料等进行分类。
(1)按材料和极性分有硅材料的NPN与PNP三极管和锗材料的NPN与PNP三极管。
(2)按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。
(3)按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。
(4)按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。
(5)按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。
(6)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。
(7)按工作原理分双极型三极管和场效应三极管。
3.场效应管认识
按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型、P沟耗尽型和增强型四大类,如图1.31所示。
图1.31 场效应晶体管的分类
4.封装形式
(1)TO-92封装。大部分小功率三极管、小功率场效应管、小功率可控硅、小电流稳压集成电路等都采用这种封装形式。如2SC9013、2SC9015、2SK30A、MCR100-6/K06、78L12等,如图1.31所示。
图1.32 TO-92封装
(2)TO-220封装。部分大功率三极管、场效应管、可控硅、三端稳压集成电路采用这种封装形式,如图1.32(a)所示,有自带散热器绝缘和自带散热器不绝缘两种结构,如TIP41、IRF540、7812、BTA16-1000B等,这种封装为了便于散热还可以配上专用散热器,如图1.33(b)所示。
图1.33 TO-220封装
(3)TO-18封装。部分中小功率三极管、光电三极管采用这种封装形式,这种封装外壳是金属的,又称金属封装,多用于军用产品和工业控制设备中。如3DG12、2N5179等,如图1.34所示。
图1.34 TO-18封装
(4)TO-3和TO-3p封装。许多大功率三极管、场效应管采用这种封装形式,其中TO-3是金属封装,金属外壳是C极或D极,如3DD15C、2SD870、2SD951,如图1.35所示。
TO-3p是树脂封装,有自带散热器绝缘和自带散热器不绝缘两种结构,如2SC5200、2SD1879、2SK2753、2SD1881等,如图1.36所示。
图1.35 TO-3封装
图1.36 TO-3p封装
1.2.3 常见集成电路封装的封装与识别
目前集成电路种类十分繁多,封装形式也多种多样,常见的有金属圆形封装DIP8、F型封装、双列直插式封装、单列直插式封装、陶瓷扁平封装、TO-3、BGA、软封装等,见表1.3,集成电路引脚定义如图1.37所示。
表1.3 常见集成电路的封装形式
图1.37 集成电路引脚排列