3.3　场效应晶体管

3.3.1　场效应晶体管的种类特点

场效应晶体管按其结构不同分为两大类，即绝缘栅型场效应晶体管和结型场效应晶体管。绝缘栅型场效应晶体管由金属、氧化物和半导体材料制成，简称MOS管。MOS管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两种，每种类型按其导电沟道不同又分为N沟道和P沟道两种。结型场效应晶体管按其导电沟道不同也分为N沟道和P沟道两种。

以上两种场效应晶体管的实物外形、功能特点等见表3-19，其图形符号见表3-20。

场效应晶体管一般具有3个极（双栅管具有4个极）栅极G、源极S和漏极D，它们的功能分别对应于前述的晶体三极管双极型的基极B、发射极E和集电极C。由于场效应晶体管的源极S和漏极D在结构上是对称的，因此在实际使用过程中有一些可以互换。

3.3.2　场效应晶体管的识别方法

通常，场效应晶体管的命名都采用直标法标注命名。其命名规则是不固定的，型号、厂家等不同，命名规则也就不同。

场效应晶体管采用直标法的识读方法见表3-21。

一些场效应管除对名称进行标注外，还将相关参数进行标识，场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数，见表3-22。

3.3.3　场效应晶体管类型的判别检测

检测场效应晶体管前可以通过万用表来判断场效应晶体管的沟道类型，以保证测量的准确，其具体检测方法见图3-8。

判断结果：若均能测的一个固定的阻值，则表明所测场效应晶体管为N沟道场效应晶体管。若所测的阻值均为无穷大，则表明所测的场效应晶体管为P沟道场效应晶体管。

3.3.4　场效应晶体管性能的检测

下面以N沟道场效应晶体管为例，对其性能的进行检测，具体检测方法见图3-9。

判断结果：

·若R₁和R₂均能测得一个固定值，则说明场效应晶体管良好；

·若R₁和R₂趋于零或无穷大，则表明场效应晶体管已损坏；

·步骤⑩中指针摆动幅度越大，表明场效应晶体管的放大能力越好，反之则表明场效应晶体管的放大能力越差。若螺钉旋具（或手指）接触栅极（G）时，指针无摆动，则表明场效应晶体管已失去放大能力。