第1章 异质结基本概念

早在1951年A.I.Gubanov[1，2]就对异质结进行了理论分析，但限于异质结生长技术的困难，直到1960年才由Anderson[3]第一次制成高质量的异质结，并提出更为详细的理论模型和能带图。1963年H.Kroemer和Z.I.Alferov各自独立地提出了异质结激光器的原理[4，5]，1969年异质结激光器实现了室温连续运转[6～8]，这项工作建立了现代光电子学的基础，H.Kroemer和Z.I.Alferov因此获得了2000年的诺贝尔物理学奖。