4.14　激光调阻

4.14.1　激光调阻工艺应通过运行激光调阻机，采用脉冲激光器产生的激光束使厚膜电阻膜层局部烧熔，通过改变电阻膜层的尺寸而使阻值上升达到规定的阻值。

4.14.2　激光调阻工艺应符合下列规定：

1　宜采用机械固定配合真空吸附的方式固定待测基板；

2　宜选用内阻较小的电阻卡盘做测试探针，当基板上电阻较多、电阻尺寸较小时，可分成两个甚至更多卡盘进行分步调阻；

3　应确定基片厚度、设置激光调阻工艺参数，编制调阻程序，应试调合格后再进行批量调阻；调阻时应随时跟踪所调电阻的阻值精度，当发现电阻精度有变化时，应及时分析原因并调整目标设定值；

4　无特殊要求时应优先使用“L”形切口，对电阻器有高精度、低热噪声要求时，宜使用扫描切割；除交指型调阻外，宜少用“—”形切口；使用特殊切割方式切割的切口，应检查切割的长度和切割后电路剩下的有效宽度是否合格；

5　切口宽度不宜超过电阻器原宽度的一半，切口内应无电阻残留物；切口深度应以切割部位电阻膜层熔烧干净且不损伤共烧陶瓷基板内层布线及可靠性为准；

6　应对首件品进行测试检查，所调阻值精度有异常时应及时查找原因，待阻值精度稳定后再继续批量调阻；

7　测试小阻值电阻时万用表应校零，并应校准表笔的接触电阻值；测试高阻时，应避免环境湿度和外界的干扰引起测试误差；

8　调阻过程中当需观察激光工作状态时，应佩戴专用护目镜。

4.14.3　激光调阻操作应在氮气或其他惰性气体保护环境下进行。